Ⅲ族氮化物半导体材料

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Ⅲ族氮化物半导体材料

Zhe Chuan Feng Taiwan University,ChinaⅢ-Nitride SemiconductorMaterials2006,428pp.Hardcover

USDl20.00ISBN 1-86094-636-4Imperial College Press

Ⅲ族氮化物半导体材料(Al,In,Ga)N,(包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN和AIlnGaN等)是性能优良、适宜制作半导体光电子和电子器件的材料。用这种材料研究发展的高功率、高亮度的蓝-绿-白发光管和蓝光激光器以及其他电子器件和光电子器件近几年来均有很大突破,有的已形成了产业。预期在本世纪内氮化物基的发光管有可能置换传统的钨丝灯,这在照明领域是一次革命,将会极大地影响人们的生活。

此书共有12章,每章作者均是该领域的专家。全书内容包括了Ⅲ-N科学和技术的基础和各个重要的方面,主要内容有:1Ⅲ族氮化物材料的氢化物汽相外延;2Ⅲ族氮化物材料外延的平面MOVPE技术;3GaN和相关材料外延的紧耦合喷头MOCVD技术;4Ⅲ-N材料的分子束外延;5非极性GaN薄膜和异质结的生长和特性;6InN的高压CVD生长、适时和非原位持性;7对InN新的认识;8

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