聚偏氟乙烯介电薄膜及其制备方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明

(10)申请公布号

CN110511410B

(43)申请公布日 2020.06.05(21)申请号CN201910793071.4

(22)申请日2019.08.27

(71)申请人东莞东阳光科研发有限公司

地址523871 广东省东莞市长安镇振安中路368号

(72)发明人李义涛;程宗盛;张凌飞;吴慧娟;肖文武;黄连红;满金芝;张魁

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称

聚偏氟乙烯介电薄膜及其制备方法

(57)摘要

本发明一种低介电损耗聚偏氟乙烯介电薄

膜及其制备方法。所述制备方法包括:先制备

PVDF胶体溶液,然后进行电泳处理,得到铸膜

液,涂布,干燥,将PVDF薄膜剥离,得到PVDF

介电薄膜。本发明通过对PVDF胶体溶液进行电泳

处理,除去包裹在PVDF树脂中的金属离子等杂

质,从而获得低介电损耗的PVDF介电薄膜,所述

PVDF介电薄膜特别适合作为薄膜电容器的电介质

使用。

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