（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明

书

（10）申请公布号

CN110511410B

（43）申请公布日 2020.06.05（21）申请号CN201910793071.4

（22）申请日2019.08.27

（71）申请人东莞东阳光科研发有限公司

地址523871 广东省东莞市长安镇振安中路368号

（72）发明人李义涛;程宗盛;张凌飞;吴慧娟;肖文武;黄连红;满金芝;张魁

（74）专利代理机构

代理人

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图（54）发明名称

聚偏氟乙烯介电薄膜及其制备方法

（57）摘要

本发明一种低介电损耗聚偏氟乙烯介电薄

膜及其制备方法。所述制备方法包括：先制备

PVDF胶体溶液，然后进行电泳处理，得到铸膜

液，涂布，干燥，将PVDF薄膜剥离，得到PVDF

介电薄膜。本发明通过对PVDF胶体溶液进行电泳

处理，除去包裹在PVDF树脂中的金属离子等杂

质，从而获得低介电损耗的PVDF介电薄膜，所述

PVDF介电薄膜特别适合作为薄膜电容器的电介质

使用。